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PMV32UP/MIR

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产品型号 PMV32UP/MIR
制造商 Nexperia
产品介绍 MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.5 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1890 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)510mW (Ta), 4.15W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-236AB
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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