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FDP032N08B-F102

FDP032N08B-F102
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产品型号 FDP032N08B-F102
制造商 Fairchild Semiconductor
产品介绍 MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3mOhm @ 100A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs144 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10965 pF @ 40 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)263W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220-3
Package / CaseTO-220-3

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