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FDS6375

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产品型号 FDS6375
制造商 National Semiconductor
产品介绍 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 8A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2694 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-SOIC
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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