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IRF200B211

IRF200B211
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产品型号 IRF200B211
制造商 International Rectifier
产品介绍 IRF200B - 12V-300V N-CHANNEL POW
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs170mOhm @ 7.2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4.9V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds790 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)80W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220AB
Package / CaseTO-220-3

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