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2SJ645-TL-E

2SJ645-TL-E
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产品型号 2SJ645-TL-E
制造商 Sanyo
产品介绍 P-CHANNEL SILICON MOSFET FOR GEN
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 3A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.7 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds680 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1W (Ta), 20W (Tc) Operating Temperature150°C
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTP-FA
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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