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ECH8411-TL-E

ECH8411-TL-E
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产品型号 ECH8411-TL-E
制造商 Sanyo
产品介绍 N-CHANNEL SILICON MOSFET
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 4A, 4V Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 10 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1740 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.4W (Ta) Operating Temperature150°C
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-ECH
Package / Case8-SMD, Flat Lead

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