2SJ650
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产品型号 | 2SJ650 |
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制造商 | Sanyo |
产品介绍 | 2SJ650 - P-CHANNEL SILICON MOSFE 我们努力为客户提供 Sanyo品牌的产品2SJ650 最有竞争力的供应链服务,请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
Product Status | Obsolete | FET Type | P-Channel |
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Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 6A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1020 pF @ 20 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 20W (Tc) | Operating Temperature | 150°C |
Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-220ML |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
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