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ICE10N60FP

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产品型号 ICE10N60FP
制造商 IceMOS Technology
产品介绍 Superjunction MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs330mOhm @ 5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1250 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)35W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220 Full Pack
Package / CaseTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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