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TO252MDD7N65DS

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产品型号 TO252MDD7N65DS
制造商 NextGen Components
产品介绍 MOSFET TO-252 N 650V 7A
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 3.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.7 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)- Operating Temperature-
Mounting Type- Supplier Device Package-
Package / Case-

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