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TO220FMDD4N65F

TO220FMDD4N65F
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产品型号 TO220FMDD4N65F
制造商 NextGen Components
产品介绍 MOSFET TO-220F N 650V 4A
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8Ohm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)- Operating Temperature-
Mounting Type- Supplier Device Package-
Package / Case-

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