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PMDT290UNE,115

PMDT290UNE,115
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产品型号 PMDT290UNE,115
制造商 Nexperia
产品介绍 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
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Product parameter

Product StatusNot For New Designs TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.68nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds83pF @ 10V
Power - Max500mW Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / CaseSOT-563, SOT-666
Supplier Device PackageSOT-666

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