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SIA519EDJ-T1-GE3

SIA519EDJ-T1-GE3
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产品型号 SIA519EDJ-T1-GE3
制造商 Vishay / Siliconix
产品介绍 MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350pF @ 10V
Power - Max7.8W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / CasePowerPAK® SC-70-6 Dual
Supplier Device PackagePowerPAK® SC-70-6 Dual

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