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SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3
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产品型号 SI4288DY-T1-GE3
制造商 Vishay / Siliconix
产品介绍 MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds580pF @ 20V
Power - Max3.1W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC

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