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FDC6312P

FDC6312P
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产品型号 FDC6312P
制造商 onsemi
产品介绍 MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs115mOhm @ 2.3A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds467pF @ 10V
Power - Max700mW Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device PackageSuperSOT™-6

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