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AUIRF9952QTR

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产品型号 AUIRF9952QTR
制造商 International Rectifier
产品介绍 AUIRF9952 HEXFET POWER MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds190pF @ 15V
Power - Max2W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SO

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