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IRF7101PBF

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产品型号 IRF7101PBF
制造商 International Rectifier
产品介绍 HEXFET POWER MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 1.8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds320pF @ 15V
Power - Max2W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SO

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