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SQJB60EP-T2_GE3

SQJB60EP-T2_GE3
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产品型号 SQJB60EP-T2_GE3
制造商 Vishay / Siliconix
产品介绍 DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 25V
Power - Max48W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / CasePowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device PackagePowerPAK® SO-8 Dual

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