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IPG16N10S4-61

IPG16N10S4-61
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产品型号 IPG16N10S4-61
制造商 Infineon Technologies
产品介绍 IPG16N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs61mOhm @ 16A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 9µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds490pF @ 25V
Power - Max29W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-PowerVDFN
Supplier Device PackagePG-TDSON-8-4

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