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IRF8313TRPBF

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产品型号 IRF8313TRPBF
制造商 International Rectifier
产品介绍 IRF8313 - HEXFET POWER MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs15.5mOhm @ 9.7A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds760pF @ 15V
Power - Max2W Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SO

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