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TP44440HB

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产品型号 TP44440HB
制造商 Tagore Technology
产品介绍 GAN FET 1/2 BRIDGE .36OHM 30QFN
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)
Configuration2 N-Channel (Half Bridge) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)650V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs- Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Power - Max- Operating Temperature-
Mounting TypeSurface Mount Package / Case30-PowerWFQFN
Supplier Device Package30-QFN (8x10)

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