TP44110HB
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| 产品型号 | TP44110HB |
|---|---|
| 制造商 | Tagore Technology |
| 产品介绍 | GAN FET 1/2 BRIDGE .09OHM 30QFN 我们努力为客户提供 Tagore Technology品牌的产品TP44110HB 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
|---|---|---|---|
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) | FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | - | Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 30-PowerWFQFN |
| Supplier Device Package | 30-QFN (8x10) |
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TP44110HB是一款高性能、可靠性强的FET、MOSFET 阵列
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