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APTC80H29T1G

APTC80H29T1G
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产品型号 APTC80H29T1G
制造商 Microsemi
产品介绍 MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration4 N-Channel (Half Bridge) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2254pF @ 25V
Power - Max156W Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount Package / CaseSP1
Supplier Device PackageSP1

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