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APTM100A23SCTG

APTM100A23SCTG
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产品型号 APTM100A23SCTG
制造商 Microsemi
产品介绍 MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologySilicon Carbide (SiC)
Configuration2 N-Channel (Half Bridge) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A
Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 18A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs308nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8700pF @ 25V
Power - Max694W Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount Package / CaseSP4
Supplier Device PackageSP4

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