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APTM100VDA35T3G

APTM100VDA35T3G
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产品型号 APTM100VDA35T3G
制造商 Microsemi
产品介绍 MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs420mOhm @ 11A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs186nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5200pF @ 25V
Power - Max390W Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount Package / CaseSP3
Supplier Device PackageSP3

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