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APTSM120AM08CT6AG

APTSM120AM08CT6AG
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产品型号 APTSM120AM08CT6AG
制造商 Microsemi
产品介绍 POWER MODULE - SIC
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySilicon Carbide (SiC)
Configuration2 N-Channel (Dual), Schottky FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 200A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1360nC @ 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Power - Max2300W Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount Package / CaseSP6
Supplier Device PackageSP6

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