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APTSM120AM25CT3AG

APTSM120AM25CT3AG
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产品型号 APTSM120AM25CT3AG
制造商 Microsemi
产品介绍 POWER MODULE - SIC
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySilicon Carbide (SiC)
Configuration2 N-Channel (Dual), Schottky FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 80A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs544nC @ 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10200pF @ 1000V
Power - Max937W Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount Package / CaseSP3
Supplier Device PackageSP3

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