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ECH8619-TL-E

ECH8619-TL-E
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产品型号 ECH8619-TL-E
制造商 Sanyo
产品介绍 N-CHANNEL AND P-CHANNEL SILICON
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs93mOhm @ 1.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.8nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds560pF @ 20V
Power - Max1.5W Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package8-ECH

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