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IRF8915TRPBF

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产品型号 IRF8915TRPBF
制造商 International Rectifier
产品介绍 HEXFET POWER MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.4nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds540pF @ 10V
Power - Max2W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SO

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