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BCR112E6327HTSA1

BCR112E6327HTSA1
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产品型号 BCR112E6327HTSA1
制造商 Infineon Technologies
产品介绍 TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
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Product parameter

Product StatusLast Time Buy Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2)4.7 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 5mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO) Frequency - Transition140 MHz
Power - Max200 mW Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device PackagePG-SOT23

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