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DTD113ZUT106

DTD113ZUT106
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产品型号 DTD113ZUT106
制造商 ROHM Semiconductor
产品介绍 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
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Product parameter

Product StatusActive Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2)10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce82 @ 50mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA Frequency - Transition200 MHz
Power - Max200 mW Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-70, SOT-323 Supplier Device PackageUMT3

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