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RN2107MFV,L3F(CT

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产品型号 RN2107MFV,L3F(CT
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
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Product parameter

Product StatusActive Transistor TypePNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2)47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA Frequency - Transition-
Power - Max150 mW Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSOT-723 Supplier Device PackageVESM

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