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RN1112(TE85L,F)

RN1112(TE85L,F)
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产品型号 RN1112(TE85L,F)
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
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Product parameter

Product StatusActive Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2)-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO) Frequency - Transition250 MHz
Power - Max100 mW Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-75, SOT-416 Supplier Device PackageSSM

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