RN2105MFV,L3XHF(CT
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| 产品型号 | RN2105MFV,L3XHF(CT |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and |
| 产品介绍 | AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=2.2K, Q1BER 我们努力为客户提供 Toshiba Electronic Devices and品牌的产品RN2105MFV,L3XHF(CT 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
|---|---|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms | Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA | Frequency - Transition | 250 MHz |
| Power - Max | 150 mW | Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 | Supplier Device Package | VESM |
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