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DTA123YE3HZGTL

DTA123YE3HZGTL
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产品型号 DTA123YE3HZGTL
制造商 ROHM Semiconductor
产品介绍 PNP, SOT-416, R1R2 LEAK ABSORPTI
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Product parameter

Product StatusActive Transistor TypePNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2)10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce33 @ 10mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA Frequency - Transition250 MHz
Power - Max150 mW Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-75, SOT-416 Supplier Device PackageEMT3

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