RN1130MFV,L3F

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产品型号	RN1130MFV,L3F
制造商	Toshiba Electronic Devices and
产品介绍	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM 我们努力为客户提供 Toshiba Electronic Devices and品牌的产品RN1130MFV,L3F 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表

产品参数
pdf参数资料

Product parameter

Product Status	Active	Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V
Resistor - Base (R1)	100 kOhms	Resistor - Emitter Base (R2)	100 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 5V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA	Frequency - Transition	250 MHz
Power - Max	150 mW	Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	SOT-723	Supplier Device Package	VESM

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