RN1406,LF

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产品型号	RN1406,LF
制造商	Toshiba Electronic Devices and
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产品参数
pdf参数资料

Product parameter

Product Status	Active	Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms	Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA	Frequency - Transition	250 MHz
Power - Max	200 mW	Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Supplier Device Package	S-Mini

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