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DTC114GKAT146

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产品型号 DTC114GKAT146
制造商 ROHM Semiconductor
产品介绍 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
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Product parameter

Product StatusNot For New Designs Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)- Resistor - Emitter Base (R2)10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA (ICBO) Frequency - Transition250 MHz
Power - Max200 mW Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device PackageSMT3

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