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PDTC114YQB-QZ

PDTC114YQB-QZ
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产品型号 PDTC114YQB-QZ
制造商 Nexperia
产品介绍 PDTC114YQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
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Product parameter

Product StatusActive Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2)47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA Frequency - Transition230 MHz
Power - Max340 mW Mounting TypeSurface Mount, Wettable Flank
Package / Case3-XDFN Exposed Pad Supplier Device PackageDFN1110D-3

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