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BCR129FE6327

BCR129FE6327
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产品型号 BCR129FE6327
制造商 Infineon Technologies
产品介绍 BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
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Product parameter

Product StatusActive Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2)-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 5mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO) Frequency - Transition150 MHz
Power - Max200 mW Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device PackagePG-SOT23-3-3

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