PDTB143EQA147
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| 产品型号 | PDTB143EQA147 |
|---|---|
| 制造商 | NXP Semiconductors |
| 产品介绍 | PDTB143EQA BJT PNP 我们努力为客户提供 NXP Semiconductors品牌的产品PDTB143EQA147 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
|---|---|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms | Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA | Frequency - Transition | 150 MHz |
| Power - Max | 325 mW | Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad | Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
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