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AN1L3N

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产品型号 AN1L3N
制造商 NEC Corporation
产品介绍 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
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Product parameter

Product StatusActive Transistor TypePNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2)10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 50mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic200mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO) Frequency - Transition-
Power - Max250 mW Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Supplier Device PackageTO-92

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