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PDTC123JT-QVL

PDTC123JT-QVL
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产品型号 PDTC123JT-QVL
制造商 Nexperia
产品介绍 PDTC123JT-Q/SOT23/TO-236AB
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Product parameter

Product StatusActive Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2)47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)1µA Frequency - Transition230 MHz
Power - Max250 mW Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device PackageTO-236AB

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