PDTB123ET,215
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| 产品型号 | PDTB123ET,215 |
|---|---|
| 制造商 | NXP Semiconductors |
| 产品介绍 | NOW NEXPERIA PDTB123ET - SMALL S 我们努力为客户提供 NXP Semiconductors品牌的产品PDTB123ET,215 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
|---|---|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms | Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) | Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 250 mW | Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Supplier Device Package | SOT-23 |
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