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PDTA113EMB,315

PDTA113EMB,315
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产品型号 PDTA113EMB,315
制造商 NXP Semiconductors
产品介绍 NOW NEXPERIA PDTA113EMB - SMALL
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Product parameter

Product StatusActive Transistor TypePNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2)1 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 40mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic150mV @ 1.5mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO) Frequency - Transition180 MHz
Power - Max250 mW Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-101, SOT-883 Supplier Device PackageDFN1006B-3

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