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PDTC115EMB,315

PDTC115EMB,315
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产品型号 PDTC115EMB,315
制造商 NXP Semiconductors
产品介绍 PDTC115E - NPN RESISTOR-EQUIPPED
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Product parameter

Product StatusActive Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2)100 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)1µA Frequency - Transition230 MHz
Power - Max250 mW Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-101, SOT-883 Supplier Device PackageDFN1006B-3

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