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PDTC123ES,126

PDTC123ES,126
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产品型号 PDTC123ES,126
制造商 NXP Semiconductors
产品介绍 TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
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Product parameter

Product StatusObsolete Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2)2.2 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 20mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)1µA Frequency - Transition-
Power - Max500 mW Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Supplier Device PackageTO-92-3

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