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2N6691

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产品型号 2N6691
制造商 Microchip Technology
产品介绍 POWER BJT
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Product parameter

Product StatusActive Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)300 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1V @ 3A, 15A Current - Collector Cutoff (Max)100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce15 @ 1A, 3V Power - Max3 W
Frequency - Transition- Operating Temperature-65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting TypeStud Mount Package / CaseTO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Supplier Device PackageTO-61

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