RN1703JE(TE85L,F)
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产品型号 | RN1703JE(TE85L,F) |
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制造商 | Toshiba Electronic Devices and |
产品介绍 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV 我们努力为客户提供 Toshiba Electronic Devices and品牌的产品RN1703JE(TE85L,F) 最有竞争力的供应链服务,请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
Product Status | Active | Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
---|---|---|---|
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22kOhms | Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) | Frequency - Transition | 250MHz |
Power - Max | 100mW | Mounting Type | Surface Mount |
Package / Case | SOT-553 | Supplier Device Package | ESV |
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