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EMG11T2R

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产品型号 EMG11T2R
制造商 ROHM Semiconductor
产品介绍 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
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Product parameter

Product StatusActive Transistor Type2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1)2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2)47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA Frequency - Transition250MHz
Power - Max150mW Mounting TypeSurface Mount
Package / Case6-SMD (5 Leads), Flat Lead Supplier Device PackageEMT5

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