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EMD3T2R

EMD3T2R
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产品型号 EMD3T2R
制造商 ROHM Semiconductor
产品介绍 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
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Product parameter

Product StatusActive Transistor Type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1)10kOhms Resistor - Emitter Base (R2)10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA Frequency - Transition250MHz
Power - Max150mW Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSOT-563, SOT-666 Supplier Device PackageEMT6

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